KRI 射频离子源用于碳化硅微纳结构表面刻蚀

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:

推荐理由:

使用 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀、减薄.

工艺简介：

在碳化硅表面制备微纳结构图形, 然后通过 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度.

运行结果:

1. 结构表面粗糙度由约 106nm 降低到 11.8nm

2. 碳化硅线条结构周围的毛刺基本消失, 线条结构表面的粗糙度得到显著改善, 降低结构表面的粗糙度实现高平滑度微光学元件的制备

3. 通过 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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