登录后方可查看联系方式
该厂商采用双离子源溅射沉积系统, 其中一个离子源采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 380 对靶材进行溅射, 另一个离子源采用伯东 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 对样品进行离子刻蚀.
其工作示意图如下：
用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:
|
portant;">
射频离子源型号 |
portant;">
RFICP 380 |
|
portant;">
Discharge 阳极 |
portant;">
射频 RFICP |
|
portant;">
离子束流 |
portant;">
>1500 mA |
|
portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
|
portant;">
栅极直径 |
portant;">
30 cm Φ |
|
portant;">
离子束 |
portant;">
聚焦 |
|
portant;">
流量 |
portant;">
15-50 sccm |
|
portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
|
portant;">
长度 |
portant;">
39 cm |
|
portant;">
直径 |
portant;">
59 cm |
|
portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
推荐理由：
聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
用于刻蚀的 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：
|
portant;">
离子源型号 |
portant;">
离子源 KDC 100 |
|
portant;">
Discharge |
portant;">
DC 热离子 |
|
portant;">
离子束流 |
portant;">
>400 mA |
|
portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
|
portant;">
栅极直径 |
portant;">
12 cm Φ |
|
portant;">
离子束 |
portant;">
平行 |
|
portant;">
流量 |
portant;">
2-20 sccm |
|
portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
|
portant;">
长度 |
portant;">
23.5 cm |
|
portant;">
直径 |
portant;">
19.4 cm |
|
portant;">
中和器 |
portant;">
灯丝 |
* 可选: 可调角度的支架
推荐理由：
使用 KRI 平行型射频离子源 RFICP 100 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀, 可以使大口径光学元件 KDP 晶体表面更均匀
运行结果:
1. 溅射沉积的KDP晶体表面的均匀性在5%以内, 刻蚀均匀性在5%以内
2. 离子束刻蚀可以消除KDP晶体表面周期性刀痕
3. KDP晶体表面粗糙度降低到1.5nm,达到了预期目的
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!
