1. 填充密度提高:折射率提高
2. 波长漂移减少
3. 红外波段的水气吸收减少
4. 增强了膜层的结合力、耐摩擦能力, 机械强度, 提高表面光洁度
5. 控制膜层的应力
6. 减少膜层的吸收和散射
7. 提高生产效率
离子源工作原理
在真空环境下, 利用发射的电子在电场合磁场的相互作用下, 使充入真空室的气体产生离化, 在电场合磁场的作用下发射离子.
上海伯东代理美国考夫曼公司霍尔离子源、考夫曼离子源和射频离子源, 选择哪类型离子源, 用于辅助镀膜 IAD呢?今天就跟大家简单介绍这三种离子源.
霍尔离子源
霍尔离子源属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:
1. 灯丝
2. 阳极模組
3. 主要模組
4. 底座(可调整角度, 高度)
实图如下:
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:
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离子源型号 |
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霍尔离子源 eH200(停产) |
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霍尔离子源
eH400 |
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霍尔离子源
eH1000 |
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霍尔离子源 eH1000xO2 |
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霍尔离子源
eH2000 |
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霍尔离子源
eH3000 |
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Cathode/Neutralizer |
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F or HC |
portant;">
F or HC |
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F or HC |
portant;">
F or HC |
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F or HC |
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HC |
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电压 |
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30-300V |
portant;">
50-300V |
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50-300V |
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100-300V |
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50-300V |
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50-250V |
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电流 |
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2A |
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5A |
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10A |
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10A |
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10A |
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20A |
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散射角度 |
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>45 |
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>45 |
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>45 |
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>45 |
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>45 |
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>45 |
portant;">
可充其他 |
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Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
|||||
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气体流量 |
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1-15sccm |
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2-25sccm |
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2-50sccm |
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2-50sccm |
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2-75sccm |
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5-100sccm |
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高度 |
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2.0“ |
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3.0“ |
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4.0“ |
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4.0“ |
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4.0“ |
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6.0“ |
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直径 |
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2.5“ |
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3.7“ |
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5.7“ |
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5.7“ |
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5.7“ |
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9.7“ |
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水冷 |
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无 |
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可选 |
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可选 |
portant;">
可选 |
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是 |
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可选 |
考夫曼离子源 KDC
考夫曼离子源 KDC属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:
1. Grid (栅极) 模組
2. Out shell (外壳) 模組
3. CathodeCathode moudlemoudle (阴极模组)
4. Anode with Magnet assembly (阳极与磁力模组)
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数:
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离子源型号 |
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离子源 KDC 10 |
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离子源 KDC 40 |
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离子源 KDC 75 |
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离子源 KDC 100 |
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离子源 KDC 160 |
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Discharge |
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DC 热离子 |
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DC 热离子 |
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DC 热离子 |
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DC 热离子 |
portant;">
DC 热离子 |
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离子束流 |
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>10 mA |
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>100 mA |
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>250 mA |
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>400 mA |
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>650 mA |
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离子动能 |
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100-1200 V |
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100-1200 V |
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100-1200 V |
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100-1200 V |
portant;">
100-1200 V |
portant;">
栅极直径 |
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1 cm Φ |
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4 cm Φ |
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7.5 cm Φ |
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12 cm Φ |
portant;">
16 cm Φ |
portant;">
离子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
||||
portant;">
流量 |
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1-5 sccm |
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2-10 sccm |
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2-15 sccm |
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2-20 sccm |
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2-30 sccm |
portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
portant;">
典型压力 |
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< 0.5m Torr |
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< 0.5m Torr |
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< 0.5m Torr |
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< 0.5m Torr |
portant;">
< 0.5m Torr |
portant;">
长度 |
portant;">
11.5 cm |
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17.1 cm |
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20.1 cm |
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23.5 cm |
portant;">
25.2 cm |
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直径 |
portant;">
4 cm |
portant;">
9 cm |
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14 cm |
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19.4 cm |
portant;">
23.2 cm |
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中和器 |
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灯丝 |
射频离子源 RFICP
射频离子源RFICP属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:
1. 底座风冷风扇
2. Grid (栅极) 模組
3. RF Coil (射频铜管)
4. 石英杯
5. LFN 2000 (灯丝) 中和器
射频离子源 RFICP 系列技术参数:
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型号 |
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RFICP 40 |
portant;">
RFICP 100 |
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RFICP 140 |
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RFICP 220 |
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RFICP 380 |
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Discharge |
portant;">
RFICP 射频 |
portant;">
RFICP 射频 |
portant;">
RFICP 射频 |
portant;">
RFICP 射频 |
portant;">
RFICP 射频 |
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离子束流 |
portant;">
>100 mA |
portant;">
>350 mA |
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>600 mA |
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>800 mA |
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>1500 mA |
portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
portant;">
100-1200 V |
portant;">
100-1200 V |
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100-1200 V |
portant;">
100-1200 V |
portant;">
栅极直径 |
portant;">
4 cm Φ |
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10 cm Φ |
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14 cm Φ |
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20 cm Φ |
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30 cm Φ |
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离子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
portant;"> | |||
portant;">
流量 |
portant;">
3-10 sccm |
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5-30 sccm |
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5-30 sccm |
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10-40 sccm |
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15-50 sccm |
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通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
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< 0.5m Torr |
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< 0.5m Torr |
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< 0.5m Torr |
portant;">
< 0.5m Torr |
portant;">
长度 |
portant;">
12.7 cm |
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23.5 cm |
portant;">
24.6 cm |
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30 cm |
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39 cm |
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直径 |
portant;">
13.5 cm |
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19.1 cm |
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24.6 cm |
portant;">
41 cm |
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59 cm |
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中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
以上是 KRI 霍尔离子源 / 考夫曼离子源 / 射频离子源简单介绍.
KRI 离子源辅助镀膜 IAD 时, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 哪个好? 其实从上面的介绍可以看出, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 并没有好与不好之分, 主要是看工艺的需求, 适合的才是最合适的.
关于选型, 如果您有什么问题, 欢迎通过下方联系方式联系我们.
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