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    KRI离子源辅助镀膜IAD时,霍尔离子源和考夫曼离子源哪个好

    采购类型:
    • 价格要求: 电议
    • 采购数量:大量
    • 包装要求:无要求
    • 采购情况:长期有效
    • 所在地:广东深圳市
    • 发布日期:2021-06-17 11:16
    • 信息有效期: 长期有效
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    采购信息描述
    • 所在地:广东深圳市
    • 有效期至:长期有效
    • 浏览次数:63
       光学镀膜是光学工业中最为重要的工艺之一,  其中离子源辅助镀膜技术是一种目前技术先进的光学镀膜技术.  离子源辅助镀膜IAD的作用有:

    1. 填充密度提高:折射率提高

    2. 波长漂移减少

    3. 红外波段的水气吸收减少

    4. 增强了膜层的结合力、耐摩擦能力,  机械强度,  提高表面光洁度

    5. 控制膜层的应力

    6. 减少膜层的吸收和散射

    7. 提高生产效率

     

    离子源工作原理

    在真空环境下,  利用发射的电子在电场合磁场的相互作用下,  使充入真空室的气体产生离化,  在电场合磁场的作用下发射离子. 

     

    上海伯东代理美国考夫曼公司霍尔离子源、考夫曼离子源和射频离子源,  选择哪类型离子源,  用于辅助镀膜 IAD呢?今天就跟大家简单介绍这三种离子源.

     

    霍尔离子源

    霍尔离子源属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:

    1. 灯丝

    2. 阳极模組

    3. 主要模組

    4. 底座(可调整角度, 高度)

    实图如下:

    KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:

    portant;">

    离子源型号

    portant;">

    霍尔离子源

    eH200(停产)

    portant;">

    霍尔离子源

    eH400
    eH400LE

    portant;">

    霍尔离子源

    eH1000
    eH1000LE
    eH1000LO

    portant;">

    霍尔离子源

    eH1000xO2

    portant;">

    霍尔离子源

    eH2000
    eH2000LE
    eH2000HO

    portant;">

    霍尔离子源

    eH3000
    eH3000LO
    eH3000MO

    portant;">

    Cathode/Neutralizer

    portant;">

    F or HC

    portant;">

    F or HC

    portant;">

    F or HC

    portant;">

    F or HC

    portant;">

    F or HC
    HC
    HC

    portant;">

    HC

    portant;">

    电压

    portant;">

    30-300V

    portant;">

    50-300V
    30-150V

    portant;">

    50-300V
    30-150V
    50-300V

    portant;">

    100-300V

    portant;">

    50-300V
    30-150V
    50-250V

    portant;">

    50-250V
    50-300V
    50-250V

    portant;">

    电流

    portant;">

    2A

    portant;">

    5A
    10A

    portant;">

    10A
    12A
    5A

    portant;">

    10A

    portant;">

    10A
    15A
    15A

    portant;">

    20A
    10A
    15A

    portant;">

    散射角度

    portant;">

    >45

    portant;">

    >45

    portant;">

    >45

    portant;">

    >45

    portant;">

    >45

    portant;">

    >45

    portant;">

    可充其他

    portant;">

    Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

    portant;">

    气体流量

    portant;">

    1-15sccm

    portant;">

    2-25sccm

    portant;">

    2-50sccm

    portant;">

    2-50sccm

    portant;">

    2-75sccm

    portant;">

    5-100sccm

    portant;">

    高度

    portant;">

    2.0“

    portant;">

    3.0“

    portant;">

    4.0“

    portant;">

    4.0“

    portant;">

    4.0“

    portant;">

    6.0“

    portant;">

    直径

    portant;">

    2.5“

    portant;">

    3.7“

    portant;">

    5.7“

    portant;">

    5.7“

    portant;">

    5.7“

    portant;">

    9.7“

    portant;">

    水冷

    portant;">

    portant;">

    可选

    portant;">

    可选

    portant;">

    可选

    portant;">

    portant;">

    可选

     

    考夫曼离子源 KDC

    考夫曼离子源 KDC属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:

    1.    Grid (栅极) 模組

    2.    Out shell (外壳) 模組

    3.    CathodeCathode moudlemoudle (阴极模组)

    4.    Anode with Magnet assembly (阳极与磁力模组)

     

    伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数:

    portant;">

    离子源型号

    portant;">

    离子源 KDC 10

    portant;">

    离子源 KDC 40

    portant;">

    离子源 KDC 75

    portant;">

    离子源 KDC 100

    portant;">

    离子源 KDC 160

    portant;">

    Discharge

    portant;">

    DC 热离子

    portant;">

    DC 热离子

    portant;">

    DC 热离子

    portant;">

    DC 热离子

    portant;">

    DC 热离子

    portant;">

    离子束流

    portant;">

    >10 mA

    portant;">

    >100 mA

    portant;">

    >250 mA

    portant;">

    >400 mA

    portant;">

    >650 mA

    portant;">

    离子动能

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    栅极直径

    portant;">

    1 cm Φ

    portant;">

    4 cm Φ

    portant;">

    7.5 cm Φ

    portant;">

    12 cm Φ

    portant;">

    16 cm Φ

    portant;">

    离子束

    portant;">

    聚焦, 平行, 散射

    portant;">

    流量

    portant;">

    1-5 sccm

    portant;">

    2-10 sccm

    portant;">

    2-15 sccm

    portant;">

    2-20 sccm

    portant;">

    2-30 sccm

    portant;">

    通气

    portant;">

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    portant;">

    典型压力

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    长度

    portant;">

    11.5 cm

    portant;">

    17.1 cm

    portant;">

    20.1 cm

    portant;">

    23.5 cm

    portant;">

    25.2 cm

    portant;">

    直径

    portant;">

    4 cm

    portant;">

    9 cm

    portant;">

    14 cm

    portant;">

    19.4 cm

    portant;">

    23.2 cm

    portant;">

    中和器

    portant;">

    灯丝

     

    射频离子源 RFICP

    射频离子源RFICP属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:

    1. 底座风冷风扇

    2. Grid (栅极) 模組

    3. RF Coil (射频铜管)

    4. 石英杯

    5. LFN 2000 (灯丝) 中和器

     

    射频离子源 RFICP 系列技术参数:

    portant;">

    型号

    portant;">

    RFICP 40

    portant;">

    RFICP 100

    portant;">

    RFICP 140

    portant;">

    RFICP 220

    portant;">

    RFICP 380

    portant;">

    Discharge

    portant;">

    RFICP 射频

    portant;">

    RFICP 射频

    portant;">

    RFICP 射频

    portant;">

    RFICP 射频

    portant;">

    RFICP 射频

    portant;">

    离子束流

    portant;">

    >100 mA

    portant;">

    >350 mA

    portant;">

    >600 mA

    portant;">

    >800 mA

    portant;">

    >1500 mA

    portant;">

    离子动能

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    100-1200 V

    portant;">

    栅极直径

    portant;">

    4 cm Φ

    portant;">

    10 cm Φ

    portant;">

    14 cm Φ

    portant;">

    20 cm Φ

    portant;">

    30 cm Φ

    portant;">

    离子束

    portant;">

    聚焦, 平行, 散射

    portant;"> 
    portant;">

    流量

    portant;">

    3-10 sccm

    portant;">

    5-30 sccm

    portant;">

    5-30 sccm

    portant;">

    10-40 sccm

    portant;">

    15-50 sccm

    portant;">

    通气

    portant;">

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    portant;">

    典型压力

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    < 0.5m Torr

    portant;">

    长度

    portant;">

    12.7 cm

    portant;">

    23.5 cm

    portant;">

    24.6 cm

    portant;">

    30 cm

    portant;">

    39 cm

    portant;">

    直径

    portant;">

    13.5 cm

    portant;">

    19.1 cm

    portant;">

    24.6 cm

    portant;">

    41 cm

    portant;">

    59 cm

    portant;">

    中和器

    portant;">

    LFN 2000

     

    以上是 KRI 霍尔离子源 / 考夫曼离子源 / 射频离子源简单介绍.

     

    KRI 离子源辅助镀膜 IAD 时, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 哪个好? 其实从上面的介绍可以看出, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 并没有好与不好之分, 主要是看工艺的需求, 适合的才是最合适的.

     

    关于选型, 如果您有什么问题,  欢迎通过下方联系方式联系我们.

     

    伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

    若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

    上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
    ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
    www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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