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离子束抛光可用于制作超光滑表面, 目前, 离子束抛光的光学元件均方根RMS精度最高可达0. 1~0. 2纳米. 由于它具备高精度/ 无损伤和超光滑等优点, 离子束抛光技术被广泛应用于精密光学元件加工和制造, 特别是高端光 学元件加工.
其基本原理是, 在真空状态下利用具有一定能量的惰性气体（比如氩气）离子轰击工件表面, 通过物理溅射效应去除表面材料. 这种加工方式避免了传统工艺中因预压力所产生的表面或亚表面损伤, 同时由于真空环境洁净度很高, 加工过程中不会引入杂质污染.
在现有的离子束抛光设备中, 离子束轰击在光学元件上的方式有两种. 第yi种是离子源发出的离子束直接轰击在光学元件上, 第二种是离子源发出的离子束经由一具有固定形状通孔的挡板后, 成为具有一定横截面形状且强度比较均匀的离子束, 而后轰击在光学元件上. 相比于第yi种方式, 第二种方式可控性强, 抛光效果好, 已经成为离子束抛光普 遍采用的设备.
美国考夫曼公司Gridded Ion Sources (考夫曼栅极离子源), KDC (直流电源式考夫曼离子源) 已成功被应用于光学镀膜离子束抛光机 (IBF Optical coating) 及晶体硅片离子束抛光机 (IBF Clrystalline)工艺. 考夫曼公司离子源可变离子的强度及浓度, 控制抛光刻蚀速率更准确使在抛光后的基材上获得更平坦均匀性高的薄膜表面. 内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行.
实际案例一:
基材: 100mm 光学镜片.
离子源条件: Vb:800V(离子束电压), Ib:84mA(离子束电流), Va:-160V(离子束加速电压), Ar gas(氩气).
实际案例二:
基材: 300mm晶体硅片
离子源条件: Vb:1000V(离子束电压), Ib:69mA(离子束电流), Va:-200V(离子束加速电压) Ar gas(氩气).
实际安装案例一:
KRI 考夫曼离子源 KDC10 使用于光学镀膜离子束抛光机
实际安装案例二:
KRI 考夫曼离子源 KDC40 使用于晶体硅片离子束抛光机
伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) 大中国区总代理.
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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