考夫曼射频离子源RFICP220溅射制备类金刚石Ta-C涂层

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

该实验以 99.9% 纯度 Ti 靶和纯度石墨靶为原材料, 通过离子溅射技术在硬质合金表面制备 Ta-C涂层.

研究结果:

石墨靶溅射时间 55min 时制备的 Ta-C涂层综合性能较优, 涂层摩擦系数较低达到 0.13, 对膜副表面形成了石墨转移膜, 对 Ta-C 涂层起到润滑作用.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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