伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP380溅射制备VO2薄膜

天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积制备 VO₂ 薄膜, 以获得均匀性好, 沾污少, 附着力强, 较高的透过率的 VO₂ 薄膜.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层.

KRI 射频离子源 RFICP380 运行结果:

1. 获得的薄膜在可见光波段具有较高的透过率

2. 薄膜较为平整且对可见光的透过率较高为38%, 退火处理提高了薄膜的结晶性和透过率

3. 制备出单斜结构的VO2薄膜, 且具有晶面择优取向

4. 制备的薄膜均匀性好, 沾污少, 附着力强, 沉积速率大, 效率高, 产量高

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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