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KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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portant;">
射频离子源型号 |
portant;">
RFICP380 |
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portant;">
Discharge 阳极 |
portant;">
射频 RFICP |
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portant;">
离子束流 |
portant;">
>1500 mA |
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portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
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portant;">
栅极直径 |
portant;">
30 cm Φ |
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portant;">
离子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
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portant;">
流量 |
portant;">
15-50 sccm |
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portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
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portant;">
长度 |
portant;">
39 cm |
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portant;">
直径 |
portant;">
59 cm |
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portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
该复合磁控溅射沉积装置主要包含：
1. 溅射源-KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380
2. 清洗源-KRI 霍尔离子源 eH3000
3. 高功率脉冲磁控溅射电源
4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700
5. 基台
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
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