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西安某大学实验室在纳米纯 Ti 薄膜的研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜, 制备出的纯Ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
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离子源型号 |
portant;">
RFICP220 |
| portant;">
Discharge |
portant;">
RFICP 射频 |
| portant;">
离子束流 |
portant;">
>800 mA |
| portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
| portant;">
栅极直径 |
portant;">
20 cm Φ |
| portant;">
离子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
| portant;">
流量 |
portant;">
10-40 sccm |
| portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
| portant;">
长度 |
portant;">
30 cm |
| portant;">
直径 |
portant;">
41 cm |
| portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
该溅射沉积是在真空度为 9×10-5Pa—3×10-4Pa 的真空腔里, 通入气流量为 70ml/min 的氩气, 利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 产生的氩离子轰击靶材, 溅射沉积 Ti 膜层, 镀膜持续时间30～90min; 完成镀膜的样品待冷却后, 取出.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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