KRI考夫曼射频离子源RFICP220溅射沉积 MoN 薄膜

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

结果表明:

偏压显著影响直流磁控沉积的 MoN 薄膜的晶相结构、表面形貌、断面结构、硬度和摩擦磨损性能;随脉冲偏压的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都先增大后减小, 而薄膜的磨损率却先减小后增大, 其中 -500 V 脉冲偏压下沉积的 MoN 薄膜具有最高硬度为 7731 N/mm~2, 以及最低的磨损率为 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m).  此外, MoN 薄膜在不同载荷和转速的摩擦条件下表现出不同的摩擦学行为.
 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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