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武汉科美芯电气有限公司

日立ABB IGBT模块，PNJ（派恩杰）碳化硅分立器件及模块，Lite-On（光宝）光耦驱动...

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ABB GTO二极管5SGA 06D4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 06D4502PRELIMINARYVDRM=4500 VITGQM=600 AITSM=3×103AVT0=1.9 VrT=3.5 mWVDclink=2800 		2024-11-19
ABB GTO二极管5SGA 20H4502
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H4502VDRM= 4500 VITGQM= 2000 AITSM= 13 kAVT0= 1.80 VrT= 0.85 mΩVDClin= 2200 V· 专利自由 		2024-11-19
ABB GTO二极管5SGA 30J2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 30J2501VDRM= 2500 VITGQM= 2800 AITSM=30 kAVT0=1.5 VrT= 0.33 mVDClink= 1400 V· 专利自由漂 		2024-10-29
ABB GTO二极管5SGA 25H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 25H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2500 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技 		2024-10-25
ABB GTO二极管5SGA 20H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2000 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mΩVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅 		2024-10-15
ABB GTO二极管5SGA 25H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 25H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2500 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mΩVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅 		2024-10-15
ABB GTO二极管5SGA 30J2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 30J2501VDRM= 2500 VITGQM= 2800 AITSM=30 kAVT0=1.5 VrT= 0.33mΩVDClink= 1400 V· 专利自由漂浮 		2024-10-15
ABB GTO晶闸管5SGA15F2502
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H2501VDRM = 2500 VITGQM = 2000 AITSM = 16 kAVT0 = 1.66 VrT = 0.57 mΩVDClin = 1400 V专利自 		2024-10-07
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