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无锡科微半导体有限司

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IV1Q12080T4Z
IV1Q12080T4Z–1200V 80mΩ SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管· 开尔文连 		2024-10-10
IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器·高阻塞电压与低电阻 		2024-10-10
IV1Q12080T4Z
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管· 开尔文 		2024-10-07
IV2Q12017T4Z
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动·高阻塞电压与低电阻·高速 		2024-10-07
IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器·高阻塞电压与低电阻 		2024-10-07
IV3Q12013T4Z
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动·高阻塞电压低电阻·高 		2024-10-07
IV1Q12080T4Z 瞻芯电子
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管· 开尔文 		2024-10-07
IV3Q12013T4Z
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动·高阻塞电压低电阻·高 		2024-09-28
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