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	IV2Q12080T4Z IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器·高阻塞电压与低电阻	2024-09-04
	IV2Q12017T4Z IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动·高阻塞电压与低电阻·高速	2024-09-04
	IV1Q12080T4Z IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管· 开尔文	2024-09-04
	供应IV1Q12080T4Z IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管· 开尔文	2024-09-04
	供应IV2Q12017T4Z IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动·高阻塞电压与低电阻·高速	2024-09-04
	供应IV2Q12080T4Z IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器·高阻塞电压与低电阻	2024-09-04
	供应IV3Q12013T4Z IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动·高阻塞电压低电阻·高	2024-09-04
	供应IV1Q12080T4Z IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管· 开尔文	2024-09-02

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