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IV2Q12017T4Z 瞻芯电子
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动·高阻塞电压与低电阻·高速
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2024-08-23 |
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IV2Q12080T4Z 瞻芯电子
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器·高阻塞电压与低电阻
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2024-08-23 |
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IV3Q12013T4Z 瞻芯电子
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动·高阻塞电压低电阻·高
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2024-08-23 |
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IV1Q12080T4Z SiC MOSFET
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 车规级 SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管·
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2024-08-20 |
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IV2Q12017T4Z SiC MOSFET
IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动·高阻塞电压与低电阻·高速
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2024-08-20 |
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IV2Q12080T4Z SiC MOSFET
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器·高阻塞电压与低电阻
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2024-08-20 |
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IV3Q12013T4Z SiC MOSFET
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFETIV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代
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2024-08-20 |
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