Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
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Φ4 inch X 12片 |
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基片尺寸 |
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Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均匀性 |
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±5% |
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硅片刻蚀率 |
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20 nm/min |
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样品台 |
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直接冷却,水冷 |
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离子源 |
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Φ20cm 考夫曼离子源 |
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Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号 |
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RFICP 220 |
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Discharge |
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RFICP 射频 |
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离子束流 |
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>800 mA |
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离子动能 |
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100-1200 V |
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栅极直径 |
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20 cm Φ |
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离子束 |
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聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
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10-40 sccm |
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通气 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
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< 0.5m Torr |
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中和器 |
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LFN 2000 |
推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:
1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用
2. 刻蚀均匀性 ±5%, 满足客户要求
3. 工作台冷却方式: 直接水冷
4. 样品装载数: 18片/批（2″）或4片/批（4″）
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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