Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
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Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均匀性 |
±5% |
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硅片刻蚀率 |
20 nm/min |
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样品台 |
直接冷却,水冷 |
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离子源 |
Φ20cm 考夫曼离子源 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 搭配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
30 cm |
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直径 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 有效针对所需区域进行蚀刻, 并避免印刷电路板全面性蚀刻产生的导线暴露于空气中发生的短路异常现象.
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