Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
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Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均匀性 |
±5% |
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硅片刻蚀率 |
20 nm/min |
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样品台 |
直接冷却,水冷 |
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离子源 |
Φ20cm 考夫曼离子源 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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中和器 |
LFN 2000 |
采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 可以使 PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面, 通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分别为61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.
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