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    美国 KRI 离子源用于辅助沉积非晶硅红外光学薄膜

    放大字体  缩小字体 发布日期:2021-01-27 11:45:12    浏览次数:21    评论:0
    导读

    硅在常温下性质稳定、红外透明区宽、透明度好, 所形成的的硅薄膜质硬、红外区折射率高, 是一种较为理想的红外光学薄膜材料, 非

       硅在常温下性质稳定、红外透明区宽、透明度好, 所形成的的硅薄膜质硬、红外区折射率高, 是一种较为理想的红外光学薄膜材料, 非晶硅作为一种高折射率材料, 因此非晶硅薄膜广泛运用于红外和激光技术中.

     

    而影响非晶薄膜光学的主要工艺因素是沉积速率和基底温度, 其次工作真空度的影响, 当沉积速率和基底温度升高时, 薄膜的折射率先增大后减小, 当工作真空度升高时, 薄膜的折射率增大.

     

    KRI 离子源用于辅助沉积非晶硅红外光学薄膜

     

    某国内光学薄膜制造商为了加快镀膜沉积速率和获得工作真空度, 并保持沉积速率和稳定真空度, 该制造通过与伯东工程师进行深入讨论, 伯东工程师为其推荐美国 KRI射频离子源 RFICP 380和分子泵 Hipace 700.

     

    美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:

    1. 大面积射频离子源

    2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求

    3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求

    4. 离子束流: >1500 mA

    5. 离子动能: 100-1200 V

    6. 中和器: LFN 2000

    7. 采用自动控制器, 一键自动匹配

    8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW

    9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装

    10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用

    11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others

    http://www.hakuto-china.cn/uploadforck/images/image-20200831164009-1.png

    为了获得更好的膜层, 离子源辅助镀膜需要在真空环境下进行, 因此镀膜腔体需要将真空度抽至8x10-5 Pa, 该光学薄膜制造商采用普发 Pfeiffer 分子泵 Hipace 700 对镀膜腔体进行抽真空.

     涡轮分子泵 Hipace 700产品优势:

    1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵, 用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s

    2.最jia真空性能, 最低功耗

    3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400

    4.可在任何方向安装

    5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量

    6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接

    7.广泛的配件扩展使用范围

     

    用伯东美国 KRI 离子源用于辅助沉积非晶硅红外光学薄膜, 其光学性能和机械性能均较优异, 增强其耐久性, 完全满足一般红外光学系统的要求, 且可以制备大面积均匀的膜层, 达到共赢生产规模.

     

    伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

     

     

    若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

    上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
    ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
    www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

    伯东版权所有, 翻拷必究!

     
    (文/小编)
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