| N沟道增强型MOSFET TDM3436 |
| 描述 |
| TDM3436采用先进的沟槽技术 |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 |
| 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。 |
| 一般特征 |
| RDS（ON）<4.1mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<3.1mΩ@ VGS = 10V |
| 高功率和电流处理能力 |
| 提供无铅产品 |
| 表面贴装封装 |
| 应用 |
| PWM应用 |
| 负载开关 |
| 电源管理 |
主要从事电源管理IC、音频IC、收音IC、功放IC、MOS管等
普通会员
产品价格面议
产品品牌TD
最小起订≥3000 个
供货总量100000 个
发货期限自买家付款之日起 3 天内发货
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更新日期2019-01-23 15:11
品牌： |
TD |
所在地： |
广东 深圳市 |
起订： |
≥3000 个 |
供货总量： |
100000 个 |
有效期至： |
长期有效 |
| N沟道增强型MOSFET TDM3436 |
| 描述 |
| TDM3436采用先进的沟槽技术 |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 |
| 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。 |
| 一般特征 |
| RDS（ON）<4.1mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<3.1mΩ@ VGS = 10V |
| 高功率和电流处理能力 |
| 提供无铅产品 |
| 表面贴装封装 |
| 应用 |
| PWM应用 |
| 负载开关 |
| 电源管理 |
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