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    上海超威纳米科技有限公司

    纳米金属粉、纳米氧化物粉、纳米碳化物粉、纳米氮化物粉、纳米硼化物粉等

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    上海专业销售优质纳米铁材料-纳米单质粉体-上海超威纳米

    产品价格面议

    产品品牌超威纳米

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    企业旺铺http://www.shangyi.com/gongsi/chaowei010/

    更新日期2020-06-18 10:01

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    上海超威纳米科技有限公司

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    联系地址:上海市嘉定区南翔高科技产业园区

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    商品信息

    基本参数

    品牌:

    超威纳米

    所在地:

    上海

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    未填

    供货总量:

    未填

    有效期至:

    长期有效
    详细说明

    纳米铁材料-纳米单质粉体
    纳米铁材料-纳米单质粉体13918946092

    技术参数

    产品归类

    型号

    平均粒径

    (nm)

    纯度

    (%)

    比表面积

    (m2/g)

    体积密度

    (g/cm3)

    晶型

    颜色

    纳米级

    CW-Fe-001

    50

    >99.9

    20

    2.3

    球形

    黑色

    亚微米级

    CW-Fe-002

    800

    >99.0

    2

    1.50

    球形

    灰黑色

    加工定制

    根据客户需求适当调整产品纯度及粒度

    主要特点

    纳米铁材料、超细铁材料通过可变电流激光离子束气相法制备,产品粒度均匀,粒度分布窄,纯度高,碳,硫,磷等有害元素低,流动性好,抗氧化能力高,烧结温度低,产品纯度高,球形度高,粒度可控,不包覆纯度大于99.99%。 高性能磁记录材料、磁流体、吸波材料、导磁浆料、纳米导向剂、引申吸波材料等。

    应用领域

    1吸波材料:金属纳米材料对电磁波有特殊的吸收作用。铁、钴、氧化锌粉末及碳包金属粉末可作为军事用高性能毫米波隐形材料、可见光红外线隐形材料和结构式隐形材料,以及手机辐射屏蔽材料; 
    2导磁浆料:利用纳米铁材料的高饱和磁化强度和高磁导率的特性,可制成导磁浆料,用于精细磁头的粘结结构等; 
    3高性能磁记录材料:利用纳米铁材料的矫顽力高、比饱和磁化强度大、信噪比高和抗氧化性好等优点,可大幅度改善磁带和大容量软硬磁盘的性能; 
    4磁流体:用铁、钴、镍及其合金粉末生产的磁流体性能优异,可应用于密封减震、医疗器械、声音调节、光显示等领域。

    技术支持

    可以提供纳米铁材料、超细铁材料在吸波材料、导磁浆料、磁流体等方面的应用技术支持,具体应用咨询请与销售部人员联系。

    包装储存

    本品为惰气防静电包装,应密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜长久暴露于空气中,防受潮发生团聚,影响分散性能和使用效果。 


    纳米铁材料-纳米单质粉体 http://www.cwnano.com.cn/product-item-68.html




    首个10纳米以下碳纳米管晶体管问世

    据美国物理学家组织网2月2日(北京时间)报道,来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示,他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管,而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流,在极低的工作电压下,仍能保持出众的电流密度,甚至可超过同尺寸性能最好的硅晶体管的表现。相关研究报告发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。
     
    很多科研小组都致力研发小尺寸的晶体管,以切合未来计算技术对于更小、更密集的集成电路的需要。但现有的硅基晶体管一旦尺寸缩小,就会失去有效控制电流的能力,即产生所谓的“短沟道效应”。
     
    在新研究中,科研人员舍弃硅改用单壁碳纳米管进行实验。碳纳米管具有出色的电气性能和仅为直径1纳米至2纳米的超薄“身躯”,这使其在极短的通道长度内也能保持对电流的闸门控制,避免“短沟道效应”的生成。而IBM团队研制的10纳米以下碳纳米管晶体管首次证明了这些优势。
     
    科学家表示,理论曾预测超薄的碳纳米管将失去对于电流的闸门控制,或减少输出时的漏极电流饱和,而这都会导致性能的降低。此次研究的最大意义在于,证明了10纳米以下的碳纳米管晶体管也能表现良好,且优于同等长度性能最佳的硅基晶体管,这标志着碳纳米管可成为规模化生产晶体管的可行备选。
     
    工程师在同一个纳米管上制造出若干个独立的晶体管,其中最小一个的通道长度仅为9纳米,而这个晶体管也表现出了极好的转换行为和漏极电流饱和,打破了理论的预言。当与性能最佳,但设计和直径不同的10纳米以下硅基晶体管进行对比时,9纳米的碳纳米管晶体管具有的直径归一化(漏)电流密度,可达到硅晶体管的4倍以上。而且其所处的工作电压仅为0.5伏,这对于降低能耗十分重要。此外,超薄碳纳米管晶体管的极高效能也显示出了其在未来计算技术中大规模使用的潜力 

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