纳米锡铋合金粉-纳米合金粉体
技术参数
| 产品归类 | 型号 | 平均粒径（nm） | 纯度 | 比表面积 （m2/g） | 体积密度 （g/cm3） | 晶型 | 颜色 |
| 纳米级 | CW-Sn42Bi58 | 50 | 99.8 | 13.46 | 0.64 | 球形 | 黑色 |
| 亚微米级 | CWSn42Bi5802 | 500 | 99.5 | 1.245 | 1.56 | 球形 | 黑色 |
| 加工定制 | 根据客户需求适当调整产品合金比例 | ||||||
产品特点
通过可变电流激光离子束气相法可制备粒径与Sn-Bi成分可控的高均匀混合型纳米锡铋合金粉，纯度高、粒径大小均匀、球形状、分散性好、易混合烧结等，纳米锡铋合金粒子粒度小，熔点低，可以应用于半导体材料中。
应用领域
1、半导体材料中，低熔点锡铋合金材料强度较低，因此在冲压过程中不易出现拉伤，划痕等缺陷，有利于提高冲压零件的表面质量；
2、做合金材料、粉末冶金材料添加剂，细化晶粒，弥散强化，改变材料的机械性能等。
技术支持
可以提供纳米锡铋合金粉在半导体材料、合金材料、粉末冶金中的应用技术支持，具体应用咨询请与销售部人员联系。
包装储存
本品为惰气防静电包装，应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果。
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尔必达开发出25纳米工艺内存芯片
新浪科技讯 北京时间5月3日下午消息，尔必达周二宣布，他们已经开发出了基于25纳米制程工艺的2Gb DDR3内存芯片。
尔必达最新内存芯片可支持1866Mbps数据传输速率，并兼容低压1.35伏1600Mbps数据传输。和尔必达30纳米工艺相比，新工艺芯片每比特所需要的存储单元空间降低30%，每片晶圆上的芯片产能提升30%。
尔必达将在今年7月份进行芯片样品出货和量产，并计划在今年年底前量产25纳米工艺4Gb DDR3颗粒。(晓明)
